|
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：德国卡尔斯鲁厄工业大学
学位：博士
所在单位：材料科学与工程学院
学科：材料物理与化学. 微电子学与固体电子学
办公地点：辽宁省大连市高新园区凌工路2号
大连理工大学新三束实验室412
电子邮箱：zhoudayu@dlut.edu.cn
扫描关注
- AlN基铁电薄膜漏导电流机制与调控, 2024/08/23, 在研
- 生物芯片用高比电容快频率响应特性氮化钛(TiN)电极的制备及测试, 2021/12/15-2024/07/01, 结题
- HfO2基铁电薄膜极化翻转复杂演变行为的一阶回转曲线图谱法实验研究, 2019/08/16-2024/03/26, 结题
- 硅掺杂二氧化铪反铁电纳米薄膜相变及储能特性研究, 2016/08/17, 结题
- HfO2基新型铁电薄膜的自发极化机制和失效行为研究, 2012/09/25-2016/12/31, 结题
- 掺硅二氧化铪反铁电薄膜制备及储能性能研究, 2015/09/29, 结题
- 存算一体器件及其计算新架构, 2019/09/16, 在研
- 含原子层沉积薄膜的MIM电容器研究, 2019/09/25-2024/07/01, 结题
- 生物芯片用高比电容快频率响应特性氮化钛(TiN)电极的制备及微米图形化, 2019/09/01-2024/07/01, 结题
- 生物芯片用微米图形化氮化钛(TiN)电极制备, 2018/07/23-2024/07/01, 结题
- 生物芯片用高比电容氮化钛(TiN)电极制备, 2018/03/30-2024/07/01, 结题
- 翻译服务合同, 2014/12/01-2024/07/01, 结题
- 铁电性HfO2基薄膜的自发极化起源与宏观电学性能研究, 2011/11/03-2013/10/20, 结题
| |